机构

• 西安光学精密机械研... [49]

采集方式

• OAI收割 [49]

内容类型

• 专利 [49]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2004 [4]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [3]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共49条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2009296018A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17 作者:  御友 重吾;  成井 啓修   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4110595B2, 申请日期: 2008-04-18, 公开日期: 2008-07-02 作者:  成井 啓修   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/01/18 平面發射型半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割 专利号: TW200425605A, 申请日期: 2004-11-16, 公开日期: 2004-11-16 作者:  黑水勇一;  成井啓修;  山內義則;  田中嘉幸;  渡部義昭   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2004179209A, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24 作者:  日野 智公;  成井 啓修;  御友 重吾;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3543628B2, 申请日期: 2004-04-16, 公开日期: 2004-07-14 作者:  冨岡 聡;  成井 啓修;  岡野 展賢   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 光学装置 专利  OAI收割 专利号: JP3541416B2, 申请日期: 2004-04-09, 公开日期: 2004-07-14 作者:  佐原 健志;  成井 啓修;  土居 正人;  松田 修   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/23 双方向光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP2003264513A, 申请日期: 2003-09-19, 公开日期: 2003-09-19 作者:  成井 啓修   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 光学ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002319176A, 申请日期: 2002-10-31, 公开日期: 2002-10-31 作者:  成井 啓修;  平田 照二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001244573A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07 作者:  御友 重吾;  岡野 展賢;  成井 啓修   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP3191359B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-23 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13