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決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利  OAI收割
专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21
作者:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/23
半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
作者:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999204889A, 申请日期: 1999-07-30, 公开日期: 1999-07-30
作者:  塚本 弘範;  谷口 理;  牧野 桜子;  日野 智公;  船戸 健次
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光素子および光装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999150337A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:  奥山 浩之;  石橋 晃;  塚本 弘範
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998190154A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:  石橋 晃;  谷口 理;  日野 智公;  小林 高志;  中野 一志
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997162500A, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-06-20
作者:  塚本 弘範;  樋江井 太
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18
II-VI族化合物半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996018161A, 申请日期: 1996-01-19, 公开日期: 1996-01-19
作者:  池田 昌夫;  塚本 弘範;  谷口 理;  伊藤 哲;  白石 誠司
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
化合物半導体のエピタキシャル成長装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995169690A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
作者:  塚本 弘範;  石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子とその製法 专利  OAI收割
专利号: JP1995170021A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
作者:  塚本 弘範;  冨谷 茂隆
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18