机构

• 微电子研究所 [6]
• 半导体研究所 [3]
• 光电技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 专利 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [3]
• 2017 [2]
• 2015 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Annealing ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文  OAI收割 作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/14 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/03/07 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06 作者:  汤益丹;  白云;  李诚瞻;  刘新宇;  刘国友   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/07 Multi-dimensional models of sic power mosfet for accurately predicting the characteristics 期刊论文  OAI收割 CES TRANSACTIONS ON ELECTRICAL MACHINES AND SYSTEMS, 2017 作者:  Diao S(刁绅);  Li CZ(李诚瞻);  Yang CY(杨成樾);  Liu XY(刘新宇);  Bai Y(白云)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/16 Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain 期刊论文  OAI收割 Materials Science Forum, 2017 作者:  Liu XY(刘新宇);  Yang CY(杨成樾);  Shen HJ(申华军);  Li CZ(李诚瞻);  Bai Y(白云)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/05/16 Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2after high temperature oxidation 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2015, 卷号: 36, 期号: 9 作者:  Li, Yanyue;  Deng, Xiaochuan;  Liu, Yunfeng;  Zhao, Yanli;  Li, Chengzhan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/11/03 AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 514-517 Yao Xiaojiang; Li Bin; Chen Yanhu; Chen Xiaojuan; Wei Ke; Li Chengzhan; Luo Weijun; WANG Xiaoliang; Liu Dan; Liu Guoguo; Liu Xinyu 收藏  |  浏览/下载：164/11  |  提交时间：2010/11/23 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274 Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983 作者:  王晓亮;  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  微波功率  功率增益   高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983 罗卫军; 陈晓娟; 李成瞻; 刘新宇; 和致经; 魏珂; 梁晓新; 王晓亮 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/11/23