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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 专利 [10]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光学拾波器单元的象散调整方法 专利  OAI收割 专利号: CN1252696C, 申请日期: 2006-04-19, 公开日期: 2006-04-19 作者:  桑原庆成;  千田勇人;  大内秀和;  村上哲也;  滝口仁史   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24 分析用具的调温方法和具有调温功能的分析装置 专利  OAI收割 专利号: CN1650172A, 申请日期: 2005-08-03, 公开日期: 2005-08-03 作者:  田口尊之;  北村茂   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの高周波応答特性測定装置 专利  OAI收割 专利号: JP2900529B2, 申请日期: 1999-03-19, 公开日期: 1999-06-02 作者:  村田 茂   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体光集積素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2771276B2, 申请日期: 1998-04-17, 公开日期: 1998-07-02 作者:  村田 茂;  山口 昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体光集積素子 专利  OAI收割 专利号: JP2687464B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08 作者:  村田 茂   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 光集積素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2542570B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-09 作者:  水戸 郁夫;  村田 茂   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2500615B2, 申请日期: 1996-03-13, 公开日期: 1996-05-29 作者:  村田 茂   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994080858B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12 作者:  岡村 茂;  田口 孝雄;  和田 修   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993347346A, 申请日期: 1993-12-27, 公开日期: 1993-12-27 作者:  村田 茂   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31