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• 微电子研究所 [10]

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• OAI收割 [10]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [3]
• 2000 [2]
• 1997 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN101728257A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26 作者:  柴淑敏;  徐秋霞;  许高博   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101447420, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-03, 2010-11-26 作者:  柴淑敏;  许高博;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/26 一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5，857-861 作者:  杨荣;  李俊峰;  赵玉印;  柴淑敏;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 硅  电感  结构  工艺  品质因数  自谐振频率   厚铝的高精度干法刻蚀方法 专利  OAI收割 专利号: CN1778993, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2006-05-31, 2010-11-26 作者:  杨荣;  李俊峰;  柴淑敏;  赵玉印;  蒋浩杰   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 专利  OAI收割 专利号: CN1754860, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2006-04-05, 2010-11-26 作者:  柴淑敏;  徐秋霞;  王大海   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26 部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1061-1065 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 结构  工艺  仿真  实验  射频  Soi   采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 专利  OAI收割 专利号: CN1360341, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26 作者:  钱鹤;  邢小平;  徐秋霞;  柴淑敏   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 一种钴－自对准硅化物的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1360340, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26 作者:  钱鹤;  柴淑敏;  徐秋霞;  季红浩   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术, 1997, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 6，287-292 作者:  徐秋霞;  柴淑敏   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/25 真空微电子器件  二极管  尖锥阴极  微电子器件   用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法 专利  OAI收割 专利号: CN200410035088.7, 公开日期: 2005-11-02 作者:  韩郑生;  杨荣;  李俊峰;  海潮和;  徐秋霞   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26