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Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/04/19
合成孔径雷达高度计数据处理方法 期刊论文  OAI收割
遥感技术与应用, 2017, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 1083-1092
作者:  杨双宝;  翟振和;  许可;  王志森;  史灵卫
  |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/05/04
广西巴马地区长寿老人 ApoE 基因多态性与认知功能的关系 期刊论文  OAI收割
中国心理卫生杂志, 2005, 期号: 6
作者:  胡才友;  杨泽;  郑陈光;  吕泽平;  梁积英
  |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2011/01/11
化合物半導体基板の作製方法 专利  OAI收割
专利号: JP3403844B2, 申请日期: 2003-02-28, 公开日期: 2003-05-06
作者:  太刀川 正美;  森 英史;  山田 武;  佐々木 徹
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3314794B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12
作者:  須郷 満;  天明 二郎;  森 英史;  リヒャルト ネェツェル
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
光半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3256772B2, 申请日期: 2001-12-07, 公开日期: 2002-02-12
作者:  小林 二三彦;  宮澤 丈夫;  森 英史
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993067841A, 申请日期: 1993-03-19, 公开日期: 1993-03-19
作者:  須郷 満;  伊藤 義夫;  森 英史
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
北京谱仪 期刊论文  OAI收割
高能物理与核物理, 1992, 期号: 9, 页码: 769-787+789
作者:  丁慧良;  于传松;  马东红;  马思成;  马基茂
收藏  |  浏览/下载：472/0  |  提交时间：2015/12/21