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机构
西安光学精密机械研... [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
2000 [2]
1998 [2]
1995 [1]
1994 [2]
1993 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
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面発光レーザとその作製方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000353858A, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2000-12-19
作者:
舘野 功太
;
大礒 義孝
;
植之原 裕行
;
香川 俊明
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提交时间:2019/12/31
電気光変換装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000277844A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:
香川 俊明
;
天野 主税
;
舘野 功太
;
忠永 修
;
植之原 裕行
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提交时间:2020/01/13
光レジスタメモリ
专利
OAI收割
专利号: JP2793381B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
作者:
津田 裕之
;
黒川 隆志
;
岩村 英俊
;
植之原 裕行
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提交时间:2019/12/26
出力波長可変型光レジスタメモリ
专利
OAI收割
专利号: JP2793382B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
作者:
津田 裕之
;
黒川 隆志
;
岩村 英俊
;
植之原 裕行
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提交时间:2019/12/26
双安定半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995038195A, 申请日期: 1995-02-07, 公开日期: 1995-02-07
作者:
植之原 裕行
;
高橋 亮
;
河村 裕一
;
岩村 英俊
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提交时间:2020/01/18
垂直共振器型双安定半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994029625A, 申请日期: 1994-02-04, 公开日期: 1994-02-04
作者:
植之原 裕行
;
岩村 英俊
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提交时间:2020/01/18
双安定半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994021571A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
作者:
植之原 裕行
;
岩村 英俊
;
野中 弘二
;
津田 裕之
;
黒川 隆志
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提交时间:2020/01/18
面型光双安定レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993121830A, 申请日期: 1993-05-18, 公开日期: 1993-05-18
作者:
小濱 剛孝
;
黒川 隆志
;
岩村 英俊
;
植之原 裕行
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提交时间:2020/01/18
波長変換レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993013868A, 申请日期: 1993-01-22, 公开日期: 1993-01-22
作者:
植之原 裕行
;
岩村 英俊
;
津田 裕之
;
黒川 隆志
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提交时间:2019/12/31
双安定半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993013867A, 申请日期: 1993-01-22, 公开日期: 1993-01-22
作者:
植之原 裕行
;
岩村 英俊
;
津田 裕之
;
黒川 隆志
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提交时间:2020/01/18