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• 西安光学精密机械研... [19]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN202405309U, CN202405309U, 申请日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29 作者:  藤金正树;  井上彰;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN100411265C, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13 作者:  长谷川义晃;  横川俊哉;  石桥明彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13 作者:  长谷川義晃;  菅原岳;  安杖尚美;  石桥明彦;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14 作者:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19 作者:  横川 俊哉;  熊渕 康仁   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器和其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1639934A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13 作者:  长谷川义晃;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18 作者:  菅原岳;  长谷川义晃;  石桥明彦;  横川俊哉   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08 作者:  横川 俊哉;  吉井 重雄   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999026877A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  横川 俊哉;  齋藤 徹   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13 作者:  佐々井 洋一;  上山 智;  齋藤 徹;  辻村 歩;  西川 孝司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18