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半导体发光器件 专利  OAI收割
专利号: CN202405309U, CN202405309U, 申请日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29
作者:  藤金正树;  井上彰;  横川俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
氮化物半导体发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN100411265C, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
作者:  长谷川义晃;  横川俊哉;  石桥明彦
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101124704A, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2008-02-13
作者:  长谷川義晃;  菅原岳;  安杖尚美;  石桥明彦;  横川俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物半导体元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN100349341C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
作者:  菅原岳;  川口靖利;  石桥明彦;  木户口勋;  横川俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者:  横川 俊哉;  熊渕 康仁
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光器和其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1639934A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
作者:  长谷川义晃;  横川俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1618154A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18
作者:  菅原岳;  长谷川义晃;  石桥明彦;  横川俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者:  横川 俊哉
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
発光素子及びその製造方法および光ディスク装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999026877A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  横川 俊哉;  齋藤 徹
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18