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VGF growth of high quality InAs single crystals with low dislocation density 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125350
作者:  Jun Yang;   Wei Lu;   Manlong Duan;   Hui Xie;   Guiying Shen;   Jingmin Liu;   Zhiyuan Dong;  Youwen Zhao
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/16
VGF growth of high quality InAs single crystals with low dislocation density 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 531, 页码: 125350
作者:  Jun Yang;  Wei Lu;  Manlong Duan;  Hui Xie;  Guiying Shen;  Jingmin Liu;  Zhiyuan Dong;  Youwen Zhao
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/07/31
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文  OAI收割
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2011/08/16
Residual impurities and electrical properties of undoped LEC InAs single crystals 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 042001-1-042001-4
Hu Weijie; Zhao Youwen; Sun Wenrong; Duan Manlong; Dong Zhiyuan; Yang Jun
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2011/08/16
氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996, 2010-10-15
董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 
收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/03/19
闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  魏学成
收藏  |  浏览/下载：129/12  |  提交时间：2009/06/11
InP单晶锭退火处理方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
赵友文; 段满龙
收藏  |  浏览/下载：143/9  |  提交时间：2009/06/11
升华法生长AlN体单晶初探 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245
作者:  魏学成
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
赵有文; 董志远; 孙文荣; 段满龙; 杨子祥; 吕旭如
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/11/23
化学气相传输法生长ZnO单晶 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 336-339
作者:  魏学成
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23