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物理研究所 [12]
半导体研究所 [9]
高能物理研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [25]
内容类型
期刊论文 [25]
发表日期
1998 [2]
1995 [2]
1992 [2]
1990 [6]
1989 [6]
1987 [4]
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半导体材料 [5]
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半导体物理 [2]
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中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 期号: 9, 页码: 33-38
刘键
;
王佩璇
;
柯俊
;
朱沛然
;
扬峰
;
殷士端
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/09/23
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 672
刘键
;
王佩璇
;
柯俊
;
朱沛然
;
杨峰
;
殷士端
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Si_(0.5)Ge_(0.5)合金的热氧化物的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1995, 期号: 7, 页码: 491-496
邢益荣
;
崔玉德
;
殷士端
;
张敬平
;
李侠
;
朱沛然
;
徐田冰
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提交时间:2013/09/24
Si(0.5)Ge(0.5)合金的热氧化物的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 491
邢益荣
;
崔玉德
;
殷士端
;
张敬平
;
李侠
;
朱沛然
;
徐田冰
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
硅化物薄膜的质子弹性散射分析
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1992, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 2049-2054
朱沛然
;
江伟林
;
徐天冰
;
殷士端
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/23
硅化物薄膜的质子弹性散射分析
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1992, 卷号: 41, 期号: 12, 页码: 2049
朱沛然
;
江伟林
;
徐天冰
;
殷士端
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/11/23
La,Ce及Nd稀土金属硅化物的生成
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1990, 期号: 7, 页码: 533-538+567
牟善明
;
王佑祥
;
殷士端
;
张敬平
;
刘家瑞
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提交时间:2013/09/18
离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1990, 期号: 11, 页码: 866-870
肖光明
;
殷士端
;
张敬平
;
范缇文
;
刘家瑞
;
丁爱菊
;
周均铭
;
朱沛然
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2013/09/23
离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1990, 期号: 11, 页码: 866-870
作者:
肖光明
;
殷士端
;
张敬平
;
范缇文
;
刘家瑞
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提交时间:2015/12/25
离子注入
瞬态退火
卢瑟福背散射沟道
离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 866
肖光明
;
殷士端
;
张敬平
;
范缇文
;
刘家瑞
;
丁爱菊
;
周钧铭
;
朱沛然
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提交时间:2010/11/23