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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助

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Different Cooling Histories of Ultrahigh-Temperature Granulites Revealed by Ti-in-Quartz: An Electron Microprobe Approach 期刊论文  OAI收割
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 16
作者:  Zhang, Di;  Chen, Yi;  Mao, Qian;  Jiao, Shujuan;  Su, Bin
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2024/01/02
先进Ti硅化物源漏接触技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  毛淑娟
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/09/05
One-Step SH2 Superbinder-Based Approach for Sensitive Analysis of Tyrosine Phosphoproteome 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF PROTEOME RESEARCH, 2019, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 1870-1879
作者:  Li, Yanan;  Yao, Yating;  Wang, Yan;  Wang, Shujuan;  Liu, Xiaoyan
  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2019/06/20
Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2018
作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Zhang D(张丹);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/05
Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/05
Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Zhang D(张丹);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Li JF(李俊峰);  Liu S(刘实)
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/20
Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Liu S(刘实);  Li JF(李俊峰);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/20
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210382067.7, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-04-16
作者:  秦长亮;  梁擎擎;  殷华湘;  毛淑娟
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/03/14
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210393040.8, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-04-16
作者:  毛淑娟;  秦长亮;  殷华湘;  梁擎擎
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/03/14
On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文  OAI收割
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017
作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春);  Chen DP(陈大鹏)
  |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2018/06/08