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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101558535A, 申请日期: 2009-10-14, 公开日期: 2009-10-14 作者:  川口真生;  油利正昭   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100472818C, 申请日期: 2009-03-25, 公开日期: 2009-03-25 作者:  油利正昭;  上田大助   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体发光元件，其制造方法及安装方法 专利  OAI收割 专利号: CN100431179C, 申请日期: 2008-11-05, 公开日期: 2008-11-05 作者:  上田哲三;  油利正昭   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化镓晶体的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1255583C, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2006-05-10 作者:  油利正昭;  上田哲三;  马场孝明   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 作者:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2004165383A, 申请日期: 2004-06-10, 公开日期: 2004-06-10 作者:  高山 徹;  油利 正昭;  折田 賢児   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 波長変換型レーザ装置およびその制御方法 专利  OAI收割 专利号: JP2003005237A, 申请日期: 2003-01-08, 公开日期: 2003-01-08 作者:  油利 正昭   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2002289965A, 申请日期: 2002-10-04, 公开日期: 2002-10-04 作者:  高山 徹;  折田 賢児;  油利 正昭   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/31 光ピックアップ 专利  OAI收割 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12 作者:  小野澤 和利;  井島 新一;  今藤 修;  油利 正昭   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2001284706A, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-10-12 作者:  油利 正昭;  玉井 誠一郎;  伊藤 国雄;  数村 勝   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31