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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2016 [1]
2014 [2]
2013 [2]
2012 [1]
2005 [2]
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共8条,第1-8条
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激光二极管元件组件及其驱动方法
专利
OAI收割
专利号: CN102684067B, 申请日期: 2016-05-18, 公开日期: 2016-05-18
作者:
大木智之
;
仓本大
;
幸田伦太郎
;
渡边秀辉
;
横山弘之
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提交时间:2019/12/26
激光二极管
专利
OAI收割
专利号: CN102403650B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者:
横山弘之
;
河野俊介
;
大木智之
;
池田昌夫
;
宫嶋孝夫
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提交时间:2020/01/18
锁模半导体激光器件及其驱动方法
专利
OAI收割
专利号: CN102195232B, 申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
作者:
大木智之
;
仓本大
;
池田昌夫
;
宫岛孝夫
;
渡边秀辉
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器件
专利
OAI收割
专利号: CN103329367A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2013-09-25
作者:
渡边秀辉
;
仓本大
;
大木智之
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提交时间:2020/01/18
二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法
专利
OAI收割
专利号: CN102856788A, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:
渡边秀辉
;
宫岛孝夫
;
池田昌夫
;
大木智之
;
仓本大
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提交时间:2019/12/31
激光二极管器件
专利
OAI收割
专利号: CN102545036A, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
作者:
大木智之
;
渡边秀辉
;
幸田伦太郎
;
仓本大
;
横山弘之
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提交时间:2019/12/31
氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:
竹内哲也
;
渡边智
;
金子和
;
山田范秀
;
天野浩
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提交时间:2019/12/26
氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
作者:
竹内哲也
;
渡边智
;
金子和
;
山田范秀
;
天野浩
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提交时间:2019/12/26