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机构
西安光学精密机械研... [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2000 [3]
1999 [2]
1998 [1]
1996 [1]
1995 [3]
1994 [1]
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半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2000340885A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
作者:
玄永 康一
;
田中 明
;
奥田 肇
;
島田 直弘
;
伊藤 義行
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3135250B2, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2001-02-13
作者:
石川 正行
;
新田 康一
;
渡邊 実
;
岡島 正季
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザー装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000236139A, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29
作者:
渡邊 実
;
伊藤 義行
;
奥田 肇
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2997573B2, 申请日期: 1999-10-29, 公开日期: 2000-01-11
作者:
西川 幸江
;
新田 康一
;
岡島 正季
;
渡邊 実
;
板谷 和彦
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999284272A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
作者:
渡 邊 実
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提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998215021A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
作者:
渡邊 実
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996078789A, 申请日期: 1996-03-22, 公开日期: 1996-03-22
作者:
渡邊 実
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1995335972A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
作者:
伊藤 義行
;
松浦 初美
;
渡邊 実
;
島田 直弘
;
栗原 春樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP1995106687A, 申请日期: 1995-04-21, 公开日期: 1995-04-21
作者:
渡邊 実
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1995099363A, 申请日期: 1995-04-11, 公开日期: 1995-04-11
作者:
渡邊 実
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提交时间:2020/01/18