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半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者:  
横川 俊哉;  熊渕 康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導體激光器及劈開方法 专利  OAI收割
专利号: HK1018126A, 申请日期: 2004-08-27, 公开日期: 2004-08-27
作者:  
木戶口勛;  足立秀人;  熊渕康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体激光器及劈开方法 专利  OAI收割
专利号: CN1129218C, 申请日期: 2003-11-26, 公开日期: 2003-11-26
作者:  
木户口勳;  足立秀人;  熊渕康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1095231C, 申请日期: 2002-11-27, 公开日期: 2002-11-27
作者:  
足立秀人;  木户口勳;  熊渕康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者:  
上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999220223A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
作者:  
熊渕 康仁;  木戸口 勲;  足立 秀人;  粂 雅博;  石橋 明彦
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/13
半导体激光器及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN1189927A, 申请日期: 1998-08-05, 公开日期: 1998-08-05
作者:  
木户口勲;  足立秀人;  熊渕康仁;  鬼头雅弘;  夈雅博
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半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997266348A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者:  
嶋崎 武;  木戸口 勲;  足立 秀人;  田中 清武;  熊渕 康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997246662A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
作者:  
熊渕 康仁;  足立 秀人;  木戸口 勲
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997219558A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19
作者:  
木戸口 勲;  足立 秀人;  熊渕 康仁
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13