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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物类发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN109075530A, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21 作者:  高山彻;  中谷东吾;  狩野隆司;  左文字克哉   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN102208754A, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05 作者:  狩野隆司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2007150371A, 申请日期: 2007-06-14, 公开日期: 2007-06-14 作者:  野村 康彦;  井上 大二朗;  畑 雅幸;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006332713A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 作者:  野村 康彦;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04 作者:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3796065B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12 作者:  林 伸彦;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3443185B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-09-02 作者:  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000277860A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 作者:  狩野 隆司;  大保 広樹   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レ—ザ 专利  OAI收割 专利号: JP2000216490A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04 作者:  林 伸彦;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000196200A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  林 伸彦;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18