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一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法
专利
OAI收割
专利号: CN200610083996.2, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2007-12-19
作者:
龙世兵
;
叶甜春
;
王琴
;
王丛舜
;
刘明
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提交时间:2010/11/26
一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法
专利
OAI收割
专利号: CN200610012052.6, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 2007-12-05
作者:
涂德钰
;
刘明
;
商立伟
;
王丛舜
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提交时间:2010/11/26
一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200610012051.1, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2007-12-05
作者:
涂德钰
;
刘明
;
商立伟
;
王丛舜
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510126492.X, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2007-06-20
作者:
刘明
;
王丛舜
;
涂德钰
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提交时间:2010/11/26
采用氧化硅填充-回刻的交叉阵列结构有机器件制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510012171.7, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2007-01-17
作者:
刘明
;
王丛舜
;
涂德钰
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提交时间:2010/11/26
纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510126232.2, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2007-06-13
作者:
谢常青
;
刘明
;
涂德钰
;
陈宝钦
;
牛洁斌
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提交时间:2010/11/26
一种紫外固化纳米压印模版的制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510130437.8, 申请日期: 2008-11-26, 公开日期: 2007-06-13
作者:
王丛舜
;
刘明
;
涂德钰
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提交时间:2010/11/26
基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510085294.3, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2007-01-24
作者:
刘明
;
涂德钰
;
王丛舜
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提交时间:2010/11/26
基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN200510109338.1, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2007-04-18
作者:
姬濯宇
;
涂德钰
;
胡文平
;
刘明
;
王丛舜
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提交时间:2010/11/26
基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2008, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 3,215-217
作者:
涂德钰
;
刘明
;
商立伟
;
刘兴华
;
王丛舜
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提交时间:2010/05/27
Rotaxane分子电子学
双稳态开关
交叉存储器