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• 西安光学精密机械研... [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 光モジュールおよび電気機器 专利  OAI收割 专利号: JP4799387B2, 申请日期: 2011-08-12, 公开日期: 2011-10-26 作者:  上西 直太;  山林 直之;  中間 幸喜;  西川 潤一郎;  柴田 雅裕   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 光モジュールおよび電気機器 专利  OAI收割 专利号: JP4799387B2, 申请日期: 2011-08-12, 公开日期: 2011-10-26 作者:  上西 直太;  山林 直之;  中間 幸喜;  西川 潤一郎;  柴田 雅裕   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11 作者:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治   |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26 作者:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3597764B2, 申请日期: 2004-09-17, 公开日期: 2004-12-08 作者:  田村 英男;  佐倉 成之;  斧渕 正剛;  杉崎 雅之;  北原 宏之   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 光素子実装基板、該実装基板を用いた光モジュール、およびそれらの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3570882B2, 申请日期: 2004-07-02, 公开日期: 2004-09-29 作者:  天野 道之;  東野 俊一;  佐藤 弘次;  田村 保暁;  吉村 了行   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26 作者:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 部材の接合方法、その方法で得られた接合部材 专利  OAI收割 专利号: JP2003200289A, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15 作者:  坂田 正人;  中村 雅之   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28 作者:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体ウェハの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2002222773A, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-08-09 作者:  田村 聡之;  小川 雅弘;  石田 昌宏   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31