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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3792003B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
作者:  
上村 信行;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  原 義博;  木戸口 勲
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
作者:  
奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3505780B2, 申请日期: 2003-12-26, 公开日期: 2004-03-15
作者:  
石橋 晃;  中山 典一;  奥山 浩之
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置 专利  OAI收割
专利号: JP2003037338A, 申请日期: 2003-02-07, 公开日期: 2003-02-07
作者:  
辻村 歩;  長谷川 義晃;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  鈴木 政勝
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31
発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3271202B2, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-04-02
作者:  
石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
作者:  
上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3239550B2, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-12-17
作者:  
奥山 浩之;  石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3235225B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-04
作者:  
山本 直;  石橋 晃;  戸田 淳
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2001007443A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12
作者:  
長谷川 義晃;  辻村 歩;  石橋 明彦;  木戸口 勲;  粂 雅博
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光装置、指示装置および光伝送装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000174398A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23
作者:  
石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/30