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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 2011 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、III族窒化物半導体自立基板の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2011151400A, 申请日期: 2011-08-04, 公开日期: 2011-08-04 作者:  砂川 晴夫;  碓井 彰   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1374683A, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2002-10-16 作者:  仓本大;  砂川晴夫   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3147821B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19 作者:  木村 明隆;  砂川 晴夫;  仁道 正明;  笹岡 千秋   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 专利  OAI收割 专利号: JP3139445B2, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2001-02-26 作者:  砂川 晴夫;  碓井 彰   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000012976A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14 作者:  黒田 尚孝;  砂川 晴夫;  笹岡 千秋   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体結晶性膜の成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997306848A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28 作者:  砂川 晴夫   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 量子細線構造の作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993308138A, 申请日期: 1993-11-19, 公开日期: 1993-11-19 作者:  碓井 彰;  砂川 晴夫   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31