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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 2011 [1]
• 2009 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、III族窒化物半導体自立基板の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2011151400A, 申请日期: 2011-08-04, 公开日期: 2011-08-04 作者:  砂川 晴夫;  碓井 彰   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半导体衬底的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100481326C, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 2009-04-22 作者:  宫孝夫;  富谷茂隆;  碓井彰;  宫孝夫   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1218374C, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2005-09-07 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1387231A, 申请日期: 2002-12-25, 公开日期: 2002-12-25 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18 Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 专利  OAI收割 专利号: CN1378237A, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06 作者:  碓井彰;  柴田真佐知;  大岛祐一   |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 专利  OAI收割 专利号: JP3139445B2, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2001-02-26 作者:  砂川 晴夫;  碓井 彰   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 量子細線構造の作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1993308138A, 申请日期: 1993-11-19, 公开日期: 1993-11-19 作者:  碓井 彰;  砂川 晴夫   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31