中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

条数/页： 排序方式：
III族窒化物半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2007067432A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
作者:  笹岡 千秋
  |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18
三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板 专利  OAI收割
专利号: TW531908B, 申请日期: 2003-05-11, 公开日期: 2003-05-11
作者:  岡 千秋;  笹岡 千秋
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26
p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3217004B2, 申请日期: 2001-08-03, 公开日期: 2001-10-09
作者:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  仁道 正明
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26
窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3147821B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19
作者:  木村 明隆;  砂川 晴夫;  仁道 正明;  笹岡 千秋
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26
III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000012976A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
作者:  黒田 尚孝;  砂川 晴夫;  笹岡 千秋
  |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998341060A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22
作者:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  山口 敦史;  仁道 正明
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
III族窒化物半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2006121107A, 公开日期: 2006-05-11
作者:  笹岡 千秋
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26