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一种场致电子束泵浦紫外光源 专利  OAI收割
专利号: CN109546527A, 申请日期: 2019-03-29, 公开日期: 2019-03-29
作者:  陈一仁;  宋航;  张志伟;  缪国庆;  蒋红
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器 专利  OAI收割
专利号: CN108091657A, 申请日期: 2018-05-29, 公开日期: 2018-05-29
作者:  陈一仁;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  缪国庆
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30
两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292
作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/07/06
新型复合盖层延伸波长InGaAs红外探测器结构优化设计 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2015, 期号: 01, 页码: 75-79
作者:  赵旭;  缪国庆;  张志伟;  曾玉刚
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/07/06
2kW半导体激光加工光源 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2013, 期号: 03, 页码: 334-339
作者:  缪国庆;  王立军
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/07
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  陈一仁;  李志明;  蒋红;  黎大兵;  宋航
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/03/11
SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 08, 页码: 879-882
作者:  宋航;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  蒋红
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/11
一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法 (发明) 专利  OAI收割
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25
作者:  蒋红;  缪国庆;  缪国庆;  李志明;  孙晓娟
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/08/29
氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究(英文) 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 07, 页码: 768-773
作者:  孙晓娟;  缪国庆;  李志明;  蒋红;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/11
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585
作者:  孙晓娟;  李志明;  缪国庆;  蒋红;  宋航
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/11