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机构
西安光学精密机械研... [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
专利 [10]
发表日期
2005 [1]
2004 [1]
2002 [1]
1998 [1]
1997 [2]
1996 [1]
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光半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP3655079B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
作者:
遠 山 政 樹
;
船 水 将 久
;
平 山 雄 三
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提交时间:2020/01/13
グレーティング結合型面発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP3576764B2, 申请日期: 2004-07-16, 公开日期: 2004-10-13
作者:
平山 雄三
;
船水 将久
;
遠山 政樹
;
森永 素安
;
高岡 圭児
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3381976B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04
作者:
櫛部 光弘
;
高岡 圭児
;
船水 将久
;
小野村 正明
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提交时间:2020/01/18
光半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998214958A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
作者:
遠山 政樹
;
船水 将久
;
平山 雄三
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:
船水 将久
;
江口 和弘
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提交时间:2020/01/18
光変調器集積化光源
专利
OAI收割
专利号: JP1997139551A, 申请日期: 1997-05-27, 公开日期: 1997-05-27
作者:
平山 雄三
;
遠山 政樹
;
船水 将久
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1996255950A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
作者:
櫛部 光弘
;
高岡 圭児
;
船水 将久
;
国分 義弘
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提交时间:2020/01/18
半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993283813A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者:
船水 将久
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993190970A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者:
櫛部 光弘
;
船水 将久
;
高岡 圭児
;
阪口 眞弓
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提交时间:2020/01/18
気相成長方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993021355A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
作者:
櫛部 光弘
;
船水 将久
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提交时间:2020/01/13