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光半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP3655079B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02
作者:  
遠 山 政 樹;  船 水 将 久;  平 山 雄 三
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
グレーティング結合型面発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP3576764B2, 申请日期: 2004-07-16, 公开日期: 2004-10-13
作者:  
平山 雄三;  船水 将久;  遠山 政樹;  森永 素安;  高岡 圭児
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3381976B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04
作者:  
櫛部 光弘;  高岡 圭児;  船水 将久;  小野村 正明
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/01/18
光半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP1998214958A, 申请日期: 1998-08-11, 公开日期: 1998-08-11
作者:  
遠山 政樹;  船水 将久;  平山 雄三
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者:  
船水 将久;  江口 和弘
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/18
光変調器集積化光源 专利  OAI收割
专利号: JP1997139551A, 申请日期: 1997-05-27, 公开日期: 1997-05-27
作者:  
平山 雄三;  遠山 政樹;  船水 将久
  |  收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996255950A, 申请日期: 1996-10-01, 公开日期: 1996-10-01
作者:  
櫛部 光弘;  高岡 圭児;  船水 将久;  国分 義弘
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993283813A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者:  
船水 将久
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993190970A, 申请日期: 1993-07-30, 公开日期: 1993-07-30
作者:  
櫛部 光弘;  船水 将久;  高岡 圭児;  阪口 眞弓
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18
気相成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993021355A, 申请日期: 1993-01-29, 公开日期: 1993-01-29
作者:  
櫛部 光弘;  船水 将久
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13