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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 発光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP3710559B2, 申请日期: 2005-08-19, 公开日期: 2005-10-26 作者:  山本 剛之;  小林 宏彦;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3548986B2, 申请日期: 2004-04-30, 公开日期: 2004-08-04 作者:  小林 宏彦;  雙田 晴久;  江川 満;  岡崎 二郎;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 光半導体装置のマーカ形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998256664A, 申请日期: 1998-09-25, 公开日期: 1998-09-25 作者:  小林 宏彦;  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998012972A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16 作者:  荻田 省一;  藤井 卓也   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997326525A, 申请日期: 1997-12-16, 公开日期: 1997-12-16 作者:  山本 剛之;  荻田 省一;  小林 宏彦   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 光双安定半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995263790A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13 作者:  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 光半導体集積回路 专利  OAI收割 专利号: JP1995142700A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02 作者:  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993145183A, 申请日期: 1993-06-11, 公开日期: 1993-06-11 作者:  荻田 省一   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18