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• 西安光学精密机械研... [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化物系半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008047688A, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28 作者:  田中 明;  菅原 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 光送受信システムおよび光通信システム 专利  OAI收割 专利号: JP2002374039A, 申请日期: 2002-12-26, 公开日期: 2002-12-26 作者:  関谷 卓朗;  加藤 正良;  金井 健;  桜井 彰;  佐藤 俊一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 発光ダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP3373561B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04 作者:  菅原 秀人;  板谷 和彦   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25 作者:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 発光素子および結晶成長方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999186602A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09 作者:  鈴木 伸洋;  菅原 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 照明装置、読み取り装置、投影装置、浄化装置、および表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999087770A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  河 本 聡;  菅 原 秀 人;  新 田 康 一;  古 川 千 里   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998144962A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29 作者:  菅原 秀人;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 GaN系化合物半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998075019A, 申请日期: 1998-03-17, 公开日期: 1998-03-17 作者:  弓 削 省 三;  菅 原 秀 人   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18 作者:  大場 康夫;  菅原 秀人   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26