机构

• 上海微系统与信息技... [22]
• 半导体研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [25]

内容类型

• 专利 [17]
• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]
• 2020 [2]
• 2012 [1]
• 2011 [8]
• 2010 [13]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7 作者:  Jiang, Haiyan;  Li, Bo;  Wei, Yuning;  Feng, Shun;  Di, Zengfeng   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2022/07/14 graphene  germanium  2D material  Fermi-level pinning  photodetector   Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetectors 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 15606-15614 作者:  Menghan Zhao;   Zhongying Xue;   Wei Zhu;   Gang Wang;   Shiwei Tang;   Zhiduo Liu;   Qinglei Guo;   Da Chen;   Paul K. Chu;   Guqiao Ding;  Zengfeng Di   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/12/16 Graphene Quantum Dot-Decorated Vertically Oriented Graphene/Germanium Heterojunctions for Near-Infrared Photodetectors 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO, 2020, 卷号: 3, 期号: 7, 页码: 6915-6924 作者:  Wei Zhu;   Zhongying Xue;   Gang Wang;   Menghan Zhao;   Da Chen;   Qinglei Guo;   Zhiduo Liu;   Xiaoqiang Feng;   Guqiao Ding;   Paul K. Chu;   Zengfeng Di   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/06/28 SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2012, 期号: 14, 页码: 22-24+32 陈达; 刘林杰; 薛忠营; 刘肃; 贾晓云 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/02/22 薄膜  减压化学气相沉积  硅锗  负载影响   一种薄GOI晶片及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102290369A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21 张苗; 陈达; 卞剑涛; 姜海涛; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2012/01/06 用于绝缘体上硅技术的MOS型ESD保护结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102104048A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22 陈静; 罗杰馨; 伍青青; 宁冰旭; 薛忠营; 肖德元; 王曦 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2012/01/06 一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18 王曦; 张苗; 薛忠营 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 一种制备悬空应变材料的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101958238A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06 一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26 张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06