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• 西安光学精密机械研... [22]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20 作者:  須郷 満;  竹下 達也;  伊賀 龍三;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 光増幅素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008034882A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14 作者:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 光増幅素子 专利  OAI收割 专利号: JP2006080377A, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23 作者:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3421999B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30 作者:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充;  鈴木 安弘   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3249987B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28 作者:  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 埋込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3132054B2, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2001-02-05 作者:  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 埋め込み構造半導体レーザとその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3038424B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-08 作者:  近藤 康洋;  中尾 正史;  岡安 雅信   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/26 光結合デバイスおよび光結合方法 专利  OAI收割 专利号: JP3006666B2, 申请日期: 1999-11-26, 公开日期: 2000-02-07 作者:  三冨 修;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  界 義久;  須崎 泰正   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 DFB半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2879083B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-05 作者:  斎藤 秀穂;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 光結合デバイス 专利  OAI收割 专利号: JP1997243843A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19 作者:  近藤 康洋;  三冨 修;  須崎 泰正   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18