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• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [7]
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发表日期

• 2017 [1]
• 2013 [1]
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学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者:  刘斌;  陶涛;  智婷;  张荣;  谢自力   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 日盲紫外DBR及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN103400912A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 作者:  陈敦军;  张荣;  郑有炓   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2020/01/18 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 专利  OAI收割 专利号: CN102603190A, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25 作者:  王学锋;  杨森林;  施毅;  张荣;  郑有炓   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 物理学报, 2012, 2012, 卷号: 61, 61, 期号: 8, 页码: 087802-1-087802-6, 087802-1-087802-6 作者:  李志成,刘斌,张荣,张曌,陶涛,谢自力,陈鹏,江若琏,郑有炓,姬小利   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2013/05/29 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  刘斌;  陈涌海 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利  OAI收割 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10 作者:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长 期刊论文  OAI收割 激光与红外, 2007, 卷号: 37 作者:  姚靖;  谢自力;  刘斌;  韩平;  张荣   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/10/09 MOCVD生长不同A l组分A lGaN薄膜 期刊论文  OAI收割 激光与红外, 2007, 卷号: 37 作者:  刘 斌;  张 荣;  谢自力;  张 禹;  李 亮   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/10/09 高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,69_72 作者:  濮林;  龙世兵;  刘明;  郑有炓;  陈杰智   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 单电子晶体管  库仑阻塞  库仑振荡  负微分电导   基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN1747130A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15 作者:  施毅;  鄢波;  濮林;  张匡吉;  韩平   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18