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多重量子井戸型半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP4069479B2, 申请日期: 2008-01-25, 公开日期: 2008-04-02
作者:  
玉村 好司;  野口 裕泰
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/26
半導體發光元件之製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
作者:  
加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:  
野口 裕泰;  加藤 豪作;  長井 政春
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998294494A, 申请日期: 1998-11-04, 公开日期: 1998-11-04
作者:  
戸田 淳;  石橋 晃;  白石 誠司;  野口 裕泰;  左中 由美
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997331082A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者:  
中野 一志;  木下 優子
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997162498A, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-06-20
作者:  
野口 裕泰
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
II-VI族化合物半導体の成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997148342A, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-06-06
作者:  
野口 裕泰;  奥山 浩之
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31
III-V 族半導体基板表面の処理方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996045843A, 公开日期: 1996-02-16
作者:  
伊藤 哲;  樋江井 太;  野口 裕泰;  石橋 晃
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26