机构

• 微电子研究所 [13]
• 上海应用物理研究所 [9]
• 物理研究所 [2]
• 海洋研究所 [2]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [27]

内容类型

• 期刊论文 [24]
• 专利 [2]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The role of fluid migration in the occurrence of shallow gas and gas hydrates in the south of the Pearl River Mouth Basin, South China Sea 期刊论文  OAI收割 INTERPRETATION-A JOURNAL OF SUBSURFACE CHARACTERIZATION, 2017, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: SM1-SM11 作者:  Yang, Jinxiu;  Wang, Xiujuan;  Jin, Jiapeng;  Li, Yuanping;  Li, Jie   |  收藏  |   Characterization of gas hydrate distribution using conventional 3D seismic data in the Pearl River Mouth Basin, South China Sea 期刊论文  OAI收割 INTERPRETATION-A JOURNAL OF SUBSURFACE CHARACTERIZATION, 2016, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: SA25-SA37 作者:  Wang, Xiujuan;  Qian, Jin;  Collett, Timothy S.;  Shi, Hesheng;  Yang, Shengxiong 收藏  |   辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 304-306 作者:  韩郑生;  海潮和;  赵洪辰   |  收藏  |   截止频率53GHz的高性能0．18μm射频nMOSFET 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1343-1346 作者:  杨荣;  李俊峰;  徐秋霞;  钱鹤;  韩郑生   |  收藏  |   抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4，71-74 作者:  海潮和;  韩郑生;  钱鹤;  赵洪辰   |  收藏  |   PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 4，234-237 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |   一种抗辐照SOI反相器 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 4，1829-1832 作者:  海潮和;  司红;  钱鹤;  韩郑生;  赵洪辰   |  收藏  |   一种新型抗辐照SOI隔离结构 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 4，1291-1294 作者:  司红;  赵洪辰;  海潮和;  韩郑生;  钱鹤   |  收藏  |   源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 735-740 作者:  钱鹤;  赵洪辰;  海潮和;  韩郑生   |  收藏  |   SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 575-577 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |