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天琴计划简介
期刊论文
OAI收割
中山大学学报(自然科学版)/Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2021
作者:
罗俊
;
艾凌皓
;
艾艳丽
;
安子聪
;
白伟钢
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提交时间:2021/01/18
天琴计划
空间引力波探测
引力波
SOI MOS器件的建模方法
专利
OAI收割
专利号: US9626467, 申请日期: 2017-04-18, 公开日期: 2014-01-23
作者:
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提交时间:2018/07/19
一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14
作者:
韩郑生
;
曾传滨
;
毕津顺
;
卜建辉
;
李书振
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提交时间:2017/06/01
Effect of Cryogenic Temperature Characteristic on 0.18μm Silicon-on-insulator Devices
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2016
作者:
Li BH(李彬鸿)
;
Luo JJ(罗家俊)
;
Li B(李博)
;
Bi JS(毕津顺)
;
Bu JH(卜建辉)
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提交时间:2017/05/08
一种SOI_MOSFET的热阻提取方法
专利
OAI收割
专利号: CN201310339890.4, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2013-11-27
作者:
李莹
;
毕津顺
;
李书振
;
罗家俊
;
韩郑生
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提交时间:2016/09/13
SOI H栅MOS器件的建模方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210536882.4, 申请日期: 2015-05-27, 公开日期: 2013-03-20
作者:
卜建辉
;
毕津顺
;
罗家俊
;
韩郑生
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提交时间:2016/09/13
MOS器件的建模方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210123082.X, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2012-08-22
作者:
梅博
;
罗家俊
;
卜建辉
;
毕津顺
;
韩郑生
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提交时间:2016/09/14
MOS器件的建模方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210212516.3, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2012-10-03
作者:
卜建辉
;
罗家俊
;
韩郑生
;
毕津顺
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提交时间:2015/05/12
SOI MOS器件的建模方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210248270.5, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2012-11-21
作者:
毕津顺
;
罗家俊
;
韩郑生
;
卜建辉
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提交时间:2015/05/12
一种PN结结深测试方法
专利
OAI收割
专利号: CN201210212571.2, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2012-10-17
作者:
毕津顺
;
韩郑生
;
罗家俊
;
卜建辉
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提交时间:2015/05/12