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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2003 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1993 [5]
学科主题
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共9条,第1-9条
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半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3499749B2, 申请日期: 2003-12-05, 公开日期: 2004-02-23
作者:
黒 田 文 彦
;
大 橋 真
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提交时间:2020/01/13
光半導体モジュール
专利
OAI收割
专利号: JP3090335B2, 申请日期: 2000-07-21, 公开日期: 2000-09-18
作者:
黒田 文彦
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザー及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999274639A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
作者:
黒田 文彦
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提交时间:2019/12/31
面型光半導体素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998098236A, 申请日期: 1998-04-14, 公开日期: 1998-04-14
作者:
黒田 文彦
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提交时间:2019/12/31
光結合方法
专利
OAI收割
专利号: JP1993281443A, 申请日期: 1993-10-29, 公开日期: 1993-10-29
作者:
マロニー ジェームズ
;
古山 英人
;
黒田 文彦
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提交时间:2020/01/18
光モジユール
专利
OAI收割
专利号: JP1993088051A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09
作者:
黒田 文彦
;
中村 優
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提交时间:2019/12/30
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1993037024A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者:
阪口 眞弓
;
黒田 文彦
;
古山 英人
;
濱崎 浩史
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提交时间:2020/01/13
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1993037087A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者:
高岡 圭児
;
黒田 文彦
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提交时间:2020/01/13
半導体接着基板および半導体モジユール
专利
OAI收割
专利号: JP1993036643A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
作者:
濱崎 浩史
;
古山 英人
;
黒田 文彦
;
阪口 眞弓
;
中村 優
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提交时间:2019/12/30