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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2008 [1]
1999 [3]
1998 [2]
1997 [3]
学科主题
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共9条,第1-9条
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光学装置、光学装置の起動方法及び駆動方法、並びに光通信機器
专利
OAI收割
专利号: JP4087190B2, 申请日期: 2008-02-29, 公开日期: 2008-05-21
作者:
飯田 薫
;
齋藤 秀
;
三代川 純
;
福島 徹
;
愛清 武
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提交时间:2019/12/23
半導体素子、半導体発光素子及び半導体の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999163406A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:
吉井 重雄
;
佐々井 洋一
;
上山 智
;
齋藤 徹
;
西川 孝司
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提交时间:2019/12/31
半導体素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999112082A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者:
西川 孝司
;
宮永 良子
;
吉井 重雄
;
齋藤 徹
;
上山 智
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提交时间:2020/01/13
発光素子及びその製造方法および光ディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999026877A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:
横川 俊哉
;
齋藤 徹
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提交时间:2019/12/30
半導体発光素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者:
佐々井 洋一
;
上山 智
;
齋藤 徹
;
辻村 歩
;
西川 孝司
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1998112565A, 申请日期: 1998-04-28, 公开日期: 1998-04-28
作者:
佐々井 洋一
;
上山 智
;
齋藤 徹
;
辻村 歩
;
西川 孝司
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置
专利
OAI收割
专利号: JP1997312445A, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02
作者:
齋藤 徹
;
辻村 歩
;
佐々井 洋一
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提交时间:2019/12/30
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997293929A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
作者:
齋藤 徹
;
佐々井 洋一
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997232672A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:
佐々井 洋一
;
辻村 歩
;
上山 智
;
齋藤 徹
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提交时间:2020/01/18