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半导体研究所 [7]
苏州纳米技术与纳米仿... [3]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2018 [3]
2017 [1]
2016 [4]
2015 [2]
学科主题
光电子学 [5]
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共10条,第1-10条
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The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018
作者:
Yang, J.
;
Liu, S.T.
;
Du, G.T.
;
Zhang, Y.T.
;
Li, M.
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提交时间:2019/03/27
The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Y. Peng
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer
期刊论文
OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
W. Liu
;
Y. Xing
;
L.Q. Zhang
;
W.J. Wang
;
M. Li
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2019/11/19
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:
Liu, S.T.
;
Yang, J.
;
Zhao, D.G.
;
Jiang, D.S.
;
Liang, F.
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提交时间:2018/02/05
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Materials Technology, 2016
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D.G.
;
Jiang, D.S.
;
Liu, Z.S.
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提交时间:2017/03/11
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192
X. Li
;
D.G. Zhao
;
J. Yang
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
F. Liang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79
F. Liang
;
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
X. Li
;
S.T. Liu
;
H. Yang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 681, 页码: 522-526
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
J.P. Liu
;
L.Q. Zhang
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photovoltaic response of InGaN/GaN multi-quantum well solar cells enhanced by inserting thin GaN cap layers
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 635, 期号: 2015, 页码: 82–86
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2016/03/23
The difference in efficiency droop behaviors of two InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes with modified structural parameters
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 88, 页码: 50-55
W. Liu
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
X. Li
;
F. Liang
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2016/03/23