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• 西安光学精密机械研究... [8]
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发表日期

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文  OAI收割 AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17 作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar   |  收藏  |  浏览/下载：319/0  |  提交时间：2021/05/31 Autophagosome  cancer  flux  LC3  lysosome  macroautophagy  neurodegeneration  phagophore  stress  vacuole   Method of zinc oxide film grown on the epitaxial lateral overgrowth gallium nitride template 专利  OAI收割 专利号: SG147120A1, 申请日期: 2011-04-29, 公开日期: 2008-11-28 作者:  CHUA, SOO JIN;  ZHOU, HAILONG;  LIN, JIANYI;  PAN, HUI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor devices grown in spherical cavity arrays and its preparation method 专利  OAI收割 专利号: US7811846, 申请日期: 2010-10-12, 公开日期: 2010-10-12 作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of cleaving GaN/sapphire for forming laser mirror facets 专利  OAI收割 专利号: US7208096, 申请日期: 2007-04-24, 公开日期: 2007-04-24 作者:  AKKIPEDDI, RAMAM;  LI, ZHONGLI;  TRIPATHY, SUDHIRANJAN;  CHUA, SOO JIN   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/23 Multi-wavelength semiconductor lasers 专利  OAI收割 专利号: US6937633, 申请日期: 2005-08-30, 公开日期: 2005-08-30 作者:  CHUA, SOO JIN;  TENG, JINHUA   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure 专利  OAI收割 专利号: US6696372, 申请日期: 2004-02-24, 公开日期: 2004-02-24 作者:  WANG, BENZHONG;  CHUA, SOO JIN   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利  OAI收割 专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11 作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Buried hetero-structure InP-based opto-electronic device with native oxidized current blocking layer 专利  OAI收割 专利号: US6287884, 申请日期: 2001-09-11, 公开日期: 2001-09-11 作者:  JIE, WANG ZHI;  JIN, CHUA SOO   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same 专利  OAI收割 专利号: US20030209185A1, 公开日期: 2003-11-13 作者:  UENO, MASAKI;  TAKASUKA, EIRYO;  CHUA, SOO-JIN;  CHEN, PENG   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26