机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [8]
• 半导体研究所 [2]
• 西安光学精密机械研究... [2]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [6]
• 2017 [4]
• 2013 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Auto-Weighted Multi-View Learning for Image Clustering and Semi-Supervised Classification 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON IMAGE PROCESSING, 2018, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1501-1511 作者:  Nie, Feiping;  Cai, Guohao;  Li, Jing;  Li, Xuelong   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/12/12 Auto-weight Learning  Multi-view Clustering  Semi-supervised Classification   10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2018 作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)   |  收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/03/27 Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2018 作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2019/03/27 Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Fan, Yaming(范亚明);  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Yu, Guohao(于国浩);  Zhao, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/03/27 Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/03/27 Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Ding, Xiaoyu;  Yu, Guohao;  Cheng, Kai;  Cai, Yong;  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/03/27 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2018/02/05 AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05 Mechanism of leakage of ion-implantation isolated AlGaN/GaN MIS-high electron mobility transistors on Si substrate 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017 作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Song, Liang;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）   |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2018/02/05 Multi-view clustering and semi-supervised classification with adaptive neighbours 会议论文  OAI收割 San Francisco, CA, United states, 2017-02-04 作者:  Nie, Feiping;  Cai, Guohao;  Li, Xuelong   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/12/28