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A low leakage current Tunneling-FET based on SOI 会议论文  OAI收割
作者:  Bu JH(卜建辉);  Li DL(李多力);  Xu GB(许高博);  Cai XW(蔡小五);  Kuang Y(匡勇)
  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/13
Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/02/05
High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2017
作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩）
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/02/05
A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body 期刊论文  OAI收割
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2016
作者:  存储器研发中心;  Hei Y(黑勇);  Yuan J(袁甲);  Cai JZ(蔡江铮);  Liu BY(刘冰燕)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/04/14
Plasmonic terahertz modulator based on a grating-coupled two-dimensional electron system 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 20
作者:  Huang, YD(黄永丹)
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/03/11
Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8
作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY
收藏  |  浏览/下载：149/0  |  提交时间：2017/03/11
Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 15
作者:  Hao, RH;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY;  Yuan, J
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/11
Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3
作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11