机构

• 半导体研究所 [15]
• 力学研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [13]
• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [17]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2005 [2]
• 2004 [3]
• 2003 [3]
• 2001 [2]
• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [4]
• 力学 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Luminescence properties of multi-layer ingan quantum dots grown on c- and r-plane sapphire substrates 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Han, PD;  Liu, XL;  Lu, DC 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ingan  Quantum dots  Photoluminescence   Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 314-318 Chen, Z; Chua, SJ; Han, PD; Liu, XL; Lu, DC; Zhu, QS; Wang, ZG; Tripathy, S 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 GaN   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane algan/gan heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconducting iii-v materials   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 Chen, Z; Chua, SJ; Yuan, HR; Liu, XL; Lu, DC; Han, PD; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：277/35  |  提交时间：2010/03/09 metalorganic chemical vapor deposition   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：85/1  |  提交时间：2010/10/29 metalorganic chemical vapor deposition  semiconducting III-V materials  DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES  CARRIER CONFINEMENT  EFFECT TRANSISTORS  PHOTOLUMINESCENCE  MOBILITY  HETEROJUNCTION  INTERFACE  HFETS   Large excitation-power dependence of pressure coefficients of inxga1-xn/inyga1-yn quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 427-431 作者:  Li, Q;  Fang, ZL;  Xu, SJ;  Li, GH;  Xie, MH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文  OAI收割 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li Q; Fang ZL; Xu SJ; Li GH; Xie MH; Tong SY; Zhang XH; Liu W; Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 PIEZOELECTRIC FIELD  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 427-431 Li Q; Fang ZL; Xu SJ; Li GH; Xie MH; Tong SY; Zhang XH; Liu W; Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 PIEZOELECTRIC FIELD  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Dislocation dynamics of strain relaxation in epitaxial layers 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: 6069-6072 作者:  Wang ZQ(王自强);  Zhang YW(张永伟);  Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：1998/367  |  提交时间：2007/06/15 Dislocation evolution in epitaxial multilayers and graded composition buffers 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2001, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 1599-1605 作者:  Wang ZQ(王自强);  Zhang YW(张永伟);  Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：1054/230  |  提交时间：2007/06/15