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Manufacture of semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1985224287A, 申请日期: 1985-11-08, 公开日期: 1985-11-08
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOUJI;  EBE KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1985173894A, 申请日期: 1985-09-07, 公开日期: 1985-09-07
作者:  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOUJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: JP1985160622A, 申请日期: 1985-08-22, 公开日期: 1985-08-22
作者:  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOUJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  EBE KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1985140888A, 申请日期: 1985-07-25, 公开日期: 1985-07-25
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  EBE KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1985123085A, 申请日期: 1985-07-01, 公开日期: 1985-07-01
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOUJI;  EBE KOUJI;  FUKUDA HIROKAZU
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割
专利号: JP1985120583A, 申请日期: 1985-06-28, 公开日期: 1985-06-28
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  EBE KOUJI;  SHINOHARA KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
Growth of buried type laser crystal 专利  OAI收割
专利号: JP1985105288A, 申请日期: 1985-06-10, 公开日期: 1985-06-10
作者:  NISHIJIMA YOSHITO;  SHINOHARA KOUJI;  FUKUDA HIROKAZU;  EBE KOUJI
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31