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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩）   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/02/05 Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：150/0  |  提交时间：2017/03/11 Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2017/03/11 Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2017/03/11 Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   Mechanical Properties of Nanoporous GaN and Its Application for Separation and Transfer of GaN Thin Films 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 21, 页码: 11074-11079 作者:  Xu, K(徐科);  Sun, Q(孙钱);  Wang, JF(王建峰);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2014/01/14 nanoporous GaN  mechanical properties  layer separation and transfer   GaN-Based White-Light-Emitting Diodes with Low Color Temperature and High Color Rendering Index 期刊论文  OAI收割 SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2011, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 1446-1449 作者:  Fan, YM (范亚明);  Wang, HB (王怀兵);  Liu, JP (刘建平);  Wang, HB (王怀兵) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/08/24 White-light-emitting diode  Phosphor powder  Color rendering index  Low color temperature  PHOSPHORS   Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2010, 卷号: 19, 期号: 11 作者:  Fan YM (范亚明);  Wang HB (王怀兵) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/12/30 GaN  (11-22)-plane  strain  optical anisotropy