机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 1994 [2]
• 1993 [3]
• 1986 [1]
• 1985 [1]

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Passivation of copper by lithium in p-type gaas 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 1996-1998 作者:  EGILSSON, T;  GISLASON, HP;  YANG, BH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 PASSIVATION OF COPPER BY LITHIUM IN P-TYPE GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 1996-1998 EGILSSON T; GISLASON HP; YANG BH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTO-LUMINESCENCE  DEUTERIUM  IMPURITY  DEFECTS  CU   LITHIUM PASSIVATION OF ZN AND CD ACCEPTORS IN P-TYPE GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 16, 页码: 12345-12348 YANG BH; GISLASON HP; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROGEN PASSIVATION  SILICON  NEUTRALIZATION   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION   SHIFTING PHOTOLUMINESCENCE BANDS IN HIGH-RESISTIVITY LI-COMPENSATED GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 9418-9424 GISLASON HP; YANG BH; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION   ELECTRONIC-PROPERTIES OF AN ELECTRON-ATTRACTIVE COMPLEX NEUTRAL DEFECT IN GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1986, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 4424-4427 MONEMAR B; GISLASON HP; CHEN WM; WANG ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 LOCALIZATION OF EXCITONS TO CU-RELATED DEFECTS IN GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1985, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 7919-7924 MONEMAR B; GISLASON HP; WANG ZG 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15