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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

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Gallium nitride group compound semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US6111275, 申请日期: 2000-08-29, 公开日期: 2000-08-29
作者:  HATA, TOSHIO
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Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利  OAI收割
专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28
作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO
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A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg 专利  OAI收割
专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28
作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI
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Method of fabricating a semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: EP0452146B1, 申请日期: 1994-01-12, 公开日期: 1994-01-12
作者:  HOSOBA, HIROYUKI;  SEKI, AKINORI;  HATA, TOSHIO;  KONDOU, MASAFUMI;  SUYAMA, TAKAHIRO
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Formation method of compound semiconductor layer 专利  OAI收割
专利号: JP1992245417A, 申请日期: 1992-09-02, 公开日期: 1992-09-02
作者:  HATA TOSHIO;  KANEIWA SHINJI;  KONDO MASAFUMI;  HOSOBANE HIROYUKI;  SUYAMA NAOHIRO
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1992242987A, 申请日期: 1992-08-31, 公开日期: 1992-08-31
作者:  SUYAMA NAOHIRO;  SEKI AKINORI;  HOSOBANE HIROYUKI;  KONDO MASAFUMI;  HATA TOSHIO
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988036589A, 申请日期: 1988-02-17, 公开日期: 1988-02-17
作者:  HATA TOSHIO
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Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1988029990A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08
作者:  HATA TOSHIO
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