机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 1990 [1]
• 1989 [2]
• 1988 [2]
• 1986 [2]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface treatment method of gaas substrate 专利  OAI收割 专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  TAKEUCHI HIDEO   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1989256187A, 申请日期: 1989-10-12, 公开日期: 1989-10-12 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  NAKANO MUNEAKI;  WADA MASARU   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989196891A, 申请日期: 1989-08-08, 公开日期: 1989-08-08 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  YOKOZAWA MASAMI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1988181494A, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26 作者:  NAKANO MUNEAKI;  HIRAYAMA FUKUICHI;  YOSHIKAWA AKIO;  WADA MASARU   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1988181495A, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26 作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  NAKANO MUNEAKI;  WADA MASARU   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1986051983A, 申请日期: 1986-03-14, 公开日期: 1986-03-14 作者:  YOSHIKAWA AKIO;  HIRAYAMA FUKUICHI;  KUME MASAHIRO;  TAJIRI FUMIKO;  HAMADA TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1986051984A, 申请日期: 1986-03-14, 公开日期: 1986-03-14 作者:  YOSHIKAWA AKIO;  TAJIRI FUMIKO;  KUME MASAHIRO;  HIRAYAMA FUKUICHI;  HAMADA TAKESHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13