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西安光学精密机械研... [25]
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OAI收割 [25]
内容类型
专利 [25]
发表日期
1997 [2]
1994 [2]
1993 [3]
1991 [6]
1990 [4]
1989 [1]
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Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Übergitterstruktur
专利
OAI收割
专利号: DE69213787T2, 申请日期: 1997-05-07, 公开日期: 1997-05-07
作者:
IGA KENICHI INTELLECTUAL PROPE,JP
;
KOYAMA FUMIO INTELLECTUAL PROP,JP
;
TAKAGI TAKESHI INTELLECTUAL PR,JP
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提交时间:2019/12/24
Laserdrucker
专利
OAI收割
专利号: DE69125325D1, 申请日期: 1997-04-30, 公开日期: 1997-04-30
作者:
KENICHI IGA KENICHI IGA TOKYO 194 JP
;
KAZUTO SENDA KAZUTO SENDA HACHIOUJI-SHI TOKYO 192 JP
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提交时间:2019/12/31
Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers
专利
OAI收割
专利号: US5362974, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:
IRIKAWA, MICHINORI
;
IGA, KENICHI
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor luminous element and superlattice structure
专利
OAI收割
专利号: US5289486, 申请日期: 1994-02-22, 公开日期: 1994-02-22
作者:
IGA, KENICHI
;
KOYAMA, FUMIO
;
TAKAGI, TAKESHI
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提交时间:2019/12/26
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专利
OAI收割
专利号: JP1993059596B2, 申请日期: 1993-08-31, 公开日期: 1993-08-31
作者:
UCHAMA SEIJI
;
KINOSHITA SUSUMU
;
IGA KENICHI
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提交时间:2020/01/18
Method of manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US5236864, 申请日期: 1993-08-17, 公开日期: 1993-08-17
作者:
IGA, KENICHI
;
IBARAKI, AKIRA
;
KAWASHIMA, KENJI
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提交时间:2019/12/24
-
专利
OAI收割
专利号: JP1993026165B2, 申请日期: 1993-04-15, 公开日期: 1993-04-15
作者:
IGA KENICHI
;
KOKUBU YASUO
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提交时间:2020/01/13
Surface-emitting type semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1991283480A, 申请日期: 1991-12-13, 公开日期: 1991-12-13
作者:
IGA KENICHI
;
FURUSAWA KOTARO
;
IBARAKI AKIRA
;
ISHIKAWA TORU
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of surface-emission semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991274783A, 申请日期: 1991-12-05, 公开日期: 1991-12-05
作者:
IGA KENICHI
;
ISHIKAWA TORU
;
IBARAKI AKIRA
;
FURUSAWA KOTARO
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提交时间:2019/12/31
Surface emitting type semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991177087A, 申请日期: 1991-08-01, 公开日期: 1991-08-01
作者:
IGA KENICHI
;
IBARAKI AKIRA
;
FURUSAWA KOTARO
;
ISHIKAWA TORU
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提交时间:2020/01/18