机构

• 西安光学精密机械研究... [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 专利 [7]

发表日期

• 1992 [1]
• 1991 [1]
• 1989 [4]
• 1988 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Manufacture of semiconductor element 专利  OAI收割 专利号: JP1992211187A, 申请日期: 1992-08-03, 公开日期: 1992-08-03 作者:  SATO FUMIHIKO;  IMAMOTO HIROSHI;  MATSUMOTO MIKIO;  EBARA MASAHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1991085784A, 申请日期: 1991-04-10, 公开日期: 1991-04-10 作者:  IMAMOTO HIROSHI;  SATO FUMIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/01/18 Epitaxial crystal growth 专利  OAI收割 专利号: JP1989264217A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20 作者:  IMAMOTO HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor quantum well laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989264286A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20 作者:  IMAMOTO HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement 专利  OAI收割 专利号: US4839307, 申请日期: 1989-06-13, 公开日期: 1989-06-13 作者:  IMANAKA, KOICHI;  IMAMOTO, HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Eptaxial crystal growth 专利  OAI收割 专利号: JP1989128424A, 申请日期: 1989-05-22, 公开日期: 1989-05-22 作者:  IMANAKA KOICHI;  IMAMOTO HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1988220587A, 申请日期: 1988-09-13, 公开日期: 1988-09-13 作者:  IMAMOTO HIROSHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18