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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [2]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US8193016, 申请日期: 2012-06-05, 公开日期: 2012-06-05 作者:  HIROYAMA, RYOJI;  INOUE, DAIJIRO;  BESSHO, YASUYUKI;  HATA, MASAYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device and method of manufacturing the same as well as optical pickup 专利  OAI收割 专利号: US20090323750A1, 申请日期: 2009-12-31, 公开日期: 2009-12-31 作者:  INOUE, DAIJIRO;  OOTA, KIYOSHI;  MURAYAMA, YOSHIKI;  HIROYAMA, RYOJI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/30 Semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: US20090097523A1, 申请日期: 2009-04-16, 公开日期: 2009-04-16 作者:  BESSHO, YASUYUKI;  HATA, MASAYUKI;  INOUE, DAIJIRO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/30 Nitride-base semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7088755, 申请日期: 2006-08-08, 公开日期: 2006-08-08 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO;  HATA, MASAYUKI;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US20060018353A1, 申请日期: 2006-01-26, 公开日期: 2006-01-26 作者:  HATA, MASAYUKI;  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device and method of fabricating the same 专利  OAI收割 专利号: US6771676, 申请日期: 2004-08-03, 公开日期: 2004-08-03 作者:  TAKEUCHI, KUNIO;  OKAMOTO, SHIGEYUKI;  HIROYAMA, RYOJI;  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 A1GaInP-based high-output red semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US20020181528A1, 申请日期: 2002-12-05, 公开日期: 2002-12-05 作者:  HIROYAMA, RYOJI;  INOUE, DAIJIRO;  NOMURA, YASUHIKO;  TAKEUCHI, KUNIO   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18