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机构
西安光学精密机械研... [59]
采集方式
OAI收割 [59]
内容类型
专利 [59]
发表日期
2004 [1]
1994 [1]
1993 [1]
1992 [5]
1991 [3]
1990 [8]
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Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
专利
OAI收割
专利号: DE69826046D1, 申请日期: 2004-10-14, 公开日期: 2004-10-14
作者:
ISHIZUMI TAKASHI
;
KANEIWA SHINJI
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser devices and methods of making same
专利
OAI收割
专利号: EP0298778B1, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:
MORIMOTO, TAIJI
;
YAMAGUCHI, MASAHIRO
;
KANEIWA, SHINJI
;
HAYASHI, HIROSHI
;
KAWANISHI, HIDENORI
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提交时间:2019/12/26
A distributed feedback semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0274441B1, 申请日期: 1993-04-21, 公开日期: 1993-04-21
作者:
KUDO, HIROAKI
;
TAKIGUCHI, HARUHISA
;
KANEIWA, SHINJI
;
YOSHIDA, TOSHIHIKO
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提交时间:2019/12/24
-
专利
OAI收割
专利号: JP1992082075B2, 申请日期: 1992-12-25, 公开日期: 1992-12-25
作者:
YOSHIDA TOMOHIKO
;
TAKIGUCHI HARUHISA
;
KANEIWA SHINJI
;
KUDO HIROAKI
;
MATSUI KANEKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser devices
专利
OAI收割
专利号: EP0306314B1, 申请日期: 1992-11-19, 公开日期: 1992-11-19
作者:
KAWANISHI, HIDENORI
;
YAMAGUCHI, MASAHIRO
;
HAYASHI, HIROSHI
;
MORIMOTO, TAIJI
;
KANEIWA, SHINJI
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提交时间:2020/01/18
Formation method of compound semiconductor layer
专利
OAI收割
专利号: JP1992245417A, 申请日期: 1992-09-02, 公开日期: 1992-09-02
作者:
HATA TOSHIO
;
KANEIWA SHINJI
;
KONDO MASAFUMI
;
HOSOBANE HIROYUKI
;
SUYAMA NAOHIRO
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提交时间:2020/01/18
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专利
OAI收割
专利号: JP1992046477B2, 申请日期: 1992-07-30, 公开日期: 1992-07-30
作者:
KANEIWA SHINJI
;
KUDO HIROAKI
;
MATSUI KANEKI
;
TAKIGUCHI HARUHISA
;
YOSHIDA TOMOHIKO
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1992006113B2, 申请日期: 1992-02-04, 公开日期: 1992-02-04
作者:
YAMAMOTO SABURO
;
HAYASHI HIROSHI
;
KANEIWA SHINJI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1991224284A, 申请日期: 1991-10-03, 公开日期: 1991-10-03
作者:
KASAI SHUSUKE
;
MORIMOTO TAIJI
;
KANEIWA SHINJI
;
HAYASHI HIROSHI
;
MIYAUCHI NOBUYUKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1991173488A, 申请日期: 1991-07-26, 公开日期: 1991-07-26
作者:
KANEIWA SHINJI
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提交时间:2020/01/18