机构

• 西安光学精密机械研究... [7]
• 生物物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [2]
• 2004 [1]
• 2002 [1]

学科主题

• Virology [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Comparison between Sendai virus and adenovirus vectors to transduce HIV-1 genes into human dendritic cells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MEDICAL VIROLOGY, 2008, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 373-382 Hosoya, Noriaki; Miura, Toshiyuki; KawanaTachikawa, Ai; Koibuchi, Tomohiko; Shioda, Tatsuo; Odawara, Takashi; Nakamura, Tetsuya; Kitamura, Yoshihiro; Kano, Munehide; Kato, Atsushi; Hasegawa, Mamoru; Nagai, Yoshiyuki; Iwamoto, Aikichi 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/12/25 viral vector  immuno-genetherapy  AIDS   Nitride-base semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US7088755, 申请日期: 2006-08-08, 公开日期: 2006-08-08 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  INOUE, DAIJIRO;  HATA, MASAYUKI;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Herstellungsverfahren einer Lichtemittierende Vorrichtung 专利  OAI收割 专利号: DE69735078D1, 申请日期: 2006-04-06, 公开日期: 2006-04-06 作者:  KUNISATO TATSUYA;  MATSUSHITA YASUHIKO;  KANO TAKASHI;  YAGI KATSUMI;  UEDA YASHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/24 Nitride-based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US6954478, 申请日期: 2005-10-11, 公开日期: 2005-10-11 作者:  NOMURA, YASUHIKO;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 Nitride based semiconductor light emitting device and nitride based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US6914922, 申请日期: 2005-07-05, 公开日期: 2005-07-05 作者:  HAYASHI, NOBUHIKO;  GOTO, TAKENORI;  KANO, TAKASHI;  NOMURA, YASUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US6821807, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23 作者:  KANO, TAKASHI;  OHBO, HIROKI;  HAYASHI, NOBUHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/26 Compound semiconductor device based on gallium nitride 专利  OAI收割 专利号: US6388275, 申请日期: 2002-05-14, 公开日期: 2002-05-14 作者:  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor device and method of fabricating the same and method of forming nitride based semiconductor layer 专利  OAI收割 专利号: US20020022288A1, 公开日期: 2002-02-21 作者:  HAYASHI, NOBUHIKO;  KANO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26