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机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
1991 [2]
1989 [2]
1987 [3]
1986 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条，第1-8条
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Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1991270187A, 申请日期: 1991-12-02, 公开日期: 1991-12-02
作者:
KONDO MASATO
;
ANAYAMA CHIKASHI
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2020/01/13
Manufacture of semiconductor laser, and semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991131081A, 申请日期: 1991-06-04, 公开日期: 1991-06-04
作者:
KONDO MASATO
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提交时间：2019/12/31
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1989264287A, 申请日期: 1989-10-20, 公开日期: 1989-10-20
作者:
KONDO MASATO
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2020/01/18
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1989130584A, 申请日期: 1989-05-23, 公开日期: 1989-05-23
作者:
KONDO MASATO
;
NAKAJIMA KAZUO
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提交时间：2020/01/18
Manufacture of high-resistance indium phosphide semiconductor layer
专利
OAI收割
专利号: JP1987230018A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08
作者:
KONDO MASATO
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提交时间：2019/12/31
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1987084581A, 申请日期: 1987-04-18, 公开日期: 1987-04-18
作者:
KONDO MASATO
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2020/01/18
Semiconductor light-emitting element
专利
OAI收割
专利号: JP1987084584A, 申请日期: 1987-04-18, 公开日期: 1987-04-18
作者:
KONDO MASATO
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浏览/下载：125/0
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提交时间：2020/01/18
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1986207090A, 申请日期: 1986-09-13, 公开日期: 1986-09-13
作者:
KONDO MASATO
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浏览/下载：33/0
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提交时间：2020/01/18
